BDV65B
Запыт цаны і час выканання
BDV65B даступны, мы можам паставіць BDV65B, скарыстайцеся формай заяўкі на запыт, каб запытаць BDV65B пра пірсінг і час выканання.Atosn.com - прафесійны дыстрыб'ютар электронных кампанентаў. Мы маем вялікі склад і можам хутка забяспечыць яго. Звяжыцеся з намі сёння, і наш гандлёвы прадстаўнік прадаставіць вам дадзеныя пра кошт і адгрузку па частцы № BDV65B. Уключыце пытанні мытнага афармлення ў адпаведнасці з вашай краінай. У нас ёсць прафесійная каманда продажаўі тэхнічная каманда, мы разлічваем на супрацоўніцтва з вамі.
Запытаць прапанову
Параметры прадукту
- Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс)
- 100V
- Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic
- 2V @ 20mA, 5A
- тып Transistor
- NPN - Darlington
- Пастаўшчык Камплект прылад
- SOT-93
- серыя
- -
- Магутнасць - Макс
- 125W
- ўпакоўка
- Tube
- Упакоўка /
- TO-218-3
- Працоўная тэмпература
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- тып ўстаноўкі
- Through Hole
- Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Бессвинцовый Статус / Статус RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Частата - пераход
- -
- Падрабязнае апісанне
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
- DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 5A, 4V
- Ток - Калектар Межавая (Макс)
- 1mA
- Ток - калектар (Ic) (Макс)
- 10A
Падобныя прадукты
- STMicroelectronics BDV65B
- Пашпарт BDV65B
- Табліца BDV65B
- BDV65B pdf datasheet
- Спампаваць табліцу BDV65B
- Выява BDV65B
- Частка BDV65B
- ST BDV65B
- STMicroelectronics BDV65B